期刊 Journal Paper | 高瑄苓 Dr. Kao,Hsuan-Ling The Characteristics of 6-inch GaN on Si RF HEMT with High Isolation Composited Buffer Layer Design ByJames 2021 年 1 月 1 日2021 年 4 月 13 日
期刊 Journal Paper | 高瑄苓 Dr. Kao,Hsuan-Ling Normally-off p-GaN Gated AlGaN/GaN HEMTs Using Plasma Oxidation Technique in Access Region ByJames 2020 年 8 月 1 日2021 年 4 月 13 日
期刊 Journal Paper | 高瑄苓 Dr. Kao,Hsuan-Ling A Fully Inkjet-Printed Strain Sensor Based on Carbon Nanotubes ByJames 2020 年 8 月 1 日2021 年 4 月 13 日
期刊 Journal Paper | 高瑄苓 Dr. Kao,Hsuan-Ling High Threshold Voltage Normally-off Ultra-Thin-Barrier GaN MISHEMT with MOCVD-Regrown Ohmics and Si-rich LPCVD-SiNx Gate Insulator ByJames 2020 年 5 月 1 日2021 年 4 月 13 日
期刊 Journal Paper | 高瑄苓 Dr. Kao,Hsuan-Ling AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on a Silicon Substrate Under Uniaxial Tensile Strain ByJames 2020 年 5 月 1 日2021 年 4 月 13 日
期刊 Journal Paper | 高瑄苓 Dr. Kao,Hsuan-Ling Mechanical Tensile Strain for AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors on a Silicon-on-Insulator Substrate ByJames 2020 年 4 月 1 日2021 年 4 月 13 日
期刊 Journal Paper | 高瑄苓 Dr. Kao,Hsuan-Ling Analysis of the Back-barrier Effect in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor on Free-standing GaN Substrates ByJames 2020 年 1 月 1 日2021 年 4 月 13 日
期刊 Journal Paper | 高瑄苓 Dr. Kao,Hsuan-Ling On-Chip GaN-on-SiC VCO Using a Tunable Substrate Integrated Waveguide Loaded With Complementary Split Ring Resonator ByJames 2019 年 8 月 1 日2021 年 4 月 13 日
期刊 Journal Paper | 高瑄苓 Dr. Kao,Hsuan-Ling Dynamic Behavior Improvement of Normally-Off p-GaN High-Electron-Mobility Transistor Through a Low-Temperature Microwave Annealing Process ByJames 2019 年 7 月 1 日2021 年 4 月 13 日
期刊 Journal Paper | 高瑄苓 Dr. Kao,Hsuan-Ling The demonstration of recessed anodes AlGaN/GaN Schottky barrier diodes using microwave cyclic plasma oxidation/wet etching techniques ByJames 2019 年 7 月 1 日2021 年 4 月 13 日
